FDB045AN08A0_F085
Fairchild/ON Semiconductor
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Fairchild/ON Semiconductor FDB045AN08A0_F085
| Artikelnummer: | FDB045AN08A0_F085 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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-
Fairchild/ON Semiconductor FDB045AN08A0_F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDB045AN08A0_F085.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263AB) Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 80A, 10V Verlustleistung (max) 310W (Tc) Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 138nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 75V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta) FDB045AN08A0_F085 Einzelheiten PDF [English] FDB045AN08A0_F085 PDF - EN.pdf -
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